1 модуль памяти DDR
объем модуля 1 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 266 МГц
CAS Latency (CL): 2.5
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR
объем модуля 1 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 266 МГц
CAS Latency (CL): 2.5
Технические характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота266 МГц
Пропускная способность2100 МБ/с
Объем1 модуль 1 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)2.5
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания2.5 В
Количество ранков1
СовместимостьTOSHIBA Tecra M1, S1, Satellite Pro, Satellite, Portege