2 модуля памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 9
Ваш регион: Россия, Москва
2 модуля памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 9
Технические характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1600 МГц
Пропускная способность12800 МБ/с
Объем2 модуля по 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)9
RAS to CAS Delay (tRCD)9
Row Precharge Delay (tRP)9
Activate to Precharge Delay (tRAS)24
Напряжение питания1.5 В
Радиаторесть
Количество ранков1