1 модуль памяти DDR2
объем модуля 512 МБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 667 МГц
CAS Latency (CL): 3
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 512 МБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 667 МГц
CAS Latency (CL): 3
Технические характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота667 МГц
Пропускная способность5300 МБ/с
Объем1 модуль 512 МБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)3
Напряжение питания1.8 В
СовместимостьIBM-Lenovo 3000 N100 0689, 3000 N100 0768, 3000 V100 0763