1 модуль памяти DDR2
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 667 МГц
CAS Latency (CL): 5
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 667 МГц
CAS Latency (CL): 5
Технические характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота667 МГц
Пропускная способность5300 МБ/с
Объем1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)5
Напряжение питания1.8 В