1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1066 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 7
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1066 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 7
Технические характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1066 МГц
Объем1 модуль 2 ГБ
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)7
RAS to CAS Delay (tRCD)7
Row Precharge Delay (tRP)7
Количество чипов каждого модуля18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков2