1 модуль памяти DDR2
объем модуля 256 МБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 533 МГц
CAS Latency (CL): 3
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 256 МБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 533 МГц
CAS Latency (CL): 3
Технические характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 МБ/с
Объем1 модуль 256 МБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)3
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В
Количество ранков1