2 модуля памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1066 МГц
CAS Latency (CL): 7
Ваш регион: Россия, Москва
2 модуля памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1066 МГц
CAS Latency (CL): 7
Технические характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1066 МГц
Объем2 модуля по 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)7
RAS to CAS Delay (tRCD)7
Row Precharge Delay (tRP)7
Activate to Precharge Delay (tRAS)20