10-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 1800 МГц
объем кэша L2/L3: 2560 КБ/25600 КБ
ядро Broadwell-EP
техпроцесс 14 нм
встроенный контроллер памяти
Ваш регион: Россия, Москва
10-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 1800 МГц
объем кэша L2/L3: 2560 КБ/25600 КБ
ядро Broadwell-EP
техпроцесс 14 нм
встроенный контроллер памяти
Технические характеристики
SocketLGA2011-3
Объем кэша L325600 КБ
Количество ядер10
Частота процессора1800 МГц
Интегрированное графическое ядронет
ЯдроBroadwell-EP
Техпроцесс14 нм
Тактовая частота1800 МГц
Максимальная частота с Turbo Boost1800 МГц
Количество потоков20
Системная шинаQPI
Коэффициент умножения18
Встроенный контроллер памятиесть, полоса 68 ГБ/с
Максимальный объем памяти1536 ГБ
Тип памятиDDR4
Максимальное количество каналов памяти4
Объем кэша L164 КБ
Объем кэша L22560 КБ
Поддержка Hyper-Threadingесть
ИнструкцииMMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4, AVX, AVX2
Поддержка AMD64/EM64Tесть
Поддержка NX Bitесть
Поддержка Virtualization Technologyесть
Типичное тепловыделение105 Вт
Максимальная рабочая температура79 °C
Поддержка Intel vProесть
Макс. кол-во каналов PCI Express40
