10-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 1700 МГц
объем кэша L2/L3: 2560 КБ/25600 КБ
ядро Haswell-EP (2014)
техпроцесс 22 нм
встроенный контроллер памяти
Ваш регион: Россия, Москва
10-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 1700 МГц
объем кэша L2/L3: 2560 КБ/25600 КБ
ядро Haswell-EP (2014)
техпроцесс 22 нм
встроенный контроллер памяти
Технические характеристики
SocketLGA2011-3
Объем кэша L325600 КБ
Количество ядер10
Частота процессора1700 МГц
Интегрированное графическое ядронет
ЯдроHaswell-EP (2014)
Техпроцесс22 нм
Тактовая частота1700 МГц
Максимальная частота с Turbo Boost1700 МГц
Количество потоков20
Системная шинаQPI
Коэффициент умножения17
Встроенный контроллер памятиесть, полоса 68 ГБ/с
Максимальный объем памяти768 ГБ
Тип памятиDDR4
Максимальное количество каналов памяти4
Объем кэша L164 КБ
Объем кэша L22560 КБ
Поддержка Hyper-Threadingесть
ИнструкцииMMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4, AVX, AVX2
Поддержка AMD64/EM64Tесть
Поддержка NX Bitесть
Поддержка Virtualization Technologyесть
Типичное тепловыделение105 Вт
Максимальная рабочая температура77.6 °C
Макс. кол-во каналов PCI Express40
