20-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 2200 МГц
объем кэша L2/L3: 5120 КБ/51200 КБ
ядро Broadwell-EP
техпроцесс 22, 14 нм
встроенный контроллер памяти
Ваш регион: Россия, Москва
20-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 2200 МГц
объем кэша L2/L3: 5120 КБ/51200 КБ
ядро Broadwell-EP
техпроцесс 22, 14 нм
встроенный контроллер памяти
Технические характеристики
SocketLGA2011-3
Объем кэша L351200 КБ
Количество ядер20
Частота процессора2200 МГц
Интегрированное графическое ядронет
КомплектацияOEM
ЯдроBroadwell-EP
Техпроцесс22, 14 нм
Тактовая частота2200 МГц
Системная шинаHT, QPI
Коэффициент умножения22
Встроенный контроллер памятиесть, полоса 76.8 ГБ/с
Тип памятиDDR4 1600/1866/2133/2400
Объем кэша L164 КБ
Объем кэша L25120 КБ
Поддержка Hyper-Threadingесть
ИнструкцииMMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4
Поддержка AMD64/EM64Tесть
Поддержка NX Bitесть
Поддержка Virtualization Technologyесть
Типичное тепловыделение135 Вт
Максимальная рабочая температура90 °C
Поддержка Intel vProесть
