10-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 3100 МГц
объем кэша L2/L3: 2560 КБ/25600 КБ
ядро Broadwell-EP
техпроцесс 14 нм
встроенный контроллер памяти
Ваш регион: Россия, Москва
10-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 3100 МГц
объем кэша L2/L3: 2560 КБ/25600 КБ
ядро Broadwell-EP
техпроцесс 14 нм
встроенный контроллер памяти
Технические характеристики
SocketLGA2011-3
Объем кэша L325600 КБ
Количество ядер10
Частота процессора3100 МГц
Интегрированное графическое ядронет
ЯдроBroadwell-EP
Техпроцесс14 нм
Тактовая частота3100 МГц
Системная шинаQPI
Коэффициент умножения31
Встроенный контроллер памятиесть, полоса 76.8 ГБ/с
Тип памятиDDR4 1600/1866/2133/2400
Объем кэша L164 КБ
Объем кэша L22560 КБ
Поддержка Hyper-Threadingесть
ИнструкцииMMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4
Поддержка AMD64/EM64Tесть
Поддержка NX Bitесть
Поддержка Virtualization Technologyесть
Типичное тепловыделение165 Вт
Максимальная рабочая температура52 °C
Поддержка Intel vProесть
