10-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 2300 МГц
объем кэша L2/L3: 2560 КБ/25600 КБ
ядро Haswell-EP (2014)
техпроцесс 180, 22, 32 нм
встроенный контроллер памяти
Ваш регион: Россия, Москва
10-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 2300 МГц
объем кэша L2/L3: 2560 КБ/25600 КБ
ядро Haswell-EP (2014)
техпроцесс 180, 22, 32 нм
встроенный контроллер памяти
Технические характеристики
SocketLGA2011-3
Объем кэша L325600 КБ
Количество ядер10
Частота процессора2300 МГц
Интегрированное графическое ядронет
КомплектацияOEM
ЯдроHaswell-EP (2014)
Техпроцесс180, 22, 32 нм
Тактовая частота2300 МГц
Системная шина1600 МГц, HT, QPI
Коэффициент умножения23
Напряжение на ядре0.65 B
Встроенный контроллер памятиесть, полоса 68 ГБ/с
Объем кэша L164 КБ
Объем кэша L22560 КБ
Поддержка Hyper-Threadingесть
ИнструкцииMMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4
Поддержка AMD64/EM64Tесть
Поддержка NX Bitесть
Поддержка Virtualization Technologyесть
Типичное тепловыделение105 Вт
Максимальная рабочая температура78.9 °C
Поддержка Intel vProесть
Дополнительная информациянапряжение на ядре 0.65–1.30В
