10-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 2200 МГц
объем кэша L2/L3: 2560 КБ/25600 КБ
ядро Broadwell-EP
техпроцесс 180, 14 нм
встроенный контроллер памяти
Ваш регион: Россия, Москва
10-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 2200 МГц
объем кэша L2/L3: 2560 КБ/25600 КБ
ядро Broadwell-EP
техпроцесс 180, 14 нм
встроенный контроллер памяти
Технические характеристики
SocketLGA2011-3
Объем кэша L325600 КБ
Количество ядер10
Частота процессора2200 МГц
Интегрированное графическое ядронет
КомплектацияOEM
ЯдроBroadwell-EP
Техпроцесс180, 14 нм
Тактовая частота2200 МГц
Системная шинаHT, QPI
Коэффициент умножения22
Встроенный контроллер памятиесть, полоса 68.3 ГБ/с
Тип памятиDDR4 1600/1866/2133
Объем кэша L164 КБ
Объем кэша L22560 КБ
Поддержка Hyper-Threadingесть
ИнструкцииMMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4
Поддержка AMD64/EM64Tесть
Поддержка NX Bitесть
Поддержка Virtualization Technologyесть
Типичное тепловыделение85 Вт
Максимальная рабочая температура74 °C
Поддержка Intel vProесть
