8-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 1700 МГц
объем кэша L2/L3: 2048 КБ/20480 КБ
ядро Broadwell-EP
техпроцесс 180, 22, 14 нм
встроенный контроллер памяти
Ваш регион: Россия, Москва
8-ядерный процессор, Socket LGA2011-3
частота 1700 МГц
объем кэша L2/L3: 2048 КБ/20480 КБ
ядро Broadwell-EP
техпроцесс 180, 22, 14 нм
встроенный контроллер памяти
Технические характеристики
SocketLGA2011-3
Объем кэша L320480 КБ
Количество ядер8
Частота процессора1700 МГц
Интегрированное графическое ядронет
КомплектацияOEM
ЯдроBroadwell-EP
Техпроцесс180, 22, 14 нм
Тактовая частота1700 МГц
Системная шина1600 МГц, HT, QPI
Коэффициент умножения17
Встроенный контроллер памятиесть, полоса 59.7 ГБ/с
Тип памятиDDR4 1600/1866
Объем кэша L164 КБ
Объем кэша L22048 КБ
ИнструкцииMMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4
Поддержка AMD64/EM64Tесть
Поддержка NX Bitесть
Поддержка Virtualization Technologyесть
Типичное тепловыделение85 Вт
Максимальная рабочая температура74 °C
Поддержка Intel vProесть
