Оперативная память Goodram GR2666D464L19S/4G 4 ГБ подойдет для замены старых планок или для увеличения объема ОЗУ. Представленный модуль разработан с учетом потребностей пользователей. Оперативная память GR2666D464L19S/4G выпускается в формате DIMM. Планк
Ваш регион: Россия, Москва
Оперативная память Goodram GR2666D464L19S/4G 4 ГБ подойдет для замены старых планок или для увеличения объема ОЗУ. Представленный модуль разработан с учетом потребностей пользователей. Оперативная память GR2666D464L19S/4G выпускается в формате DIMM. Планк
Технические характеристики
Суммарный объем памяти4 ГБ
Емкость одного модуля4 ГБ
Тип памятиDDR4
Тактовая частота, МГц2666
Количество модулей в комплекте1
Форм-факторDIMM
Пропускная способность, Мб/с21300
CAS Latency (CL)19 тактов
ТаймингиCAS Latency (CL)
Напряжение питания, В1.2 В
Тип поставкиRetail
Год выпуска2019
ПартномерGR2666D464L19S/4G
Гарантия24 мес
РадиаторДа
Размеры, мм69.6 x 30
Низкопрофильная (Low Profile)Нет
ПодсветкаНет
Название моделиGR2666D464L19S/4G