1 модуль памяти DDR
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 184-контактный
частота 333 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 2.5
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 184-контактный
частота 333 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 2.5
Технические характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторDIMM 184-контактный
Тактовая частота333 МГц
Пропускная способность2700 МБ/с
Объем1 модуль 512 МБ
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)2.5
RAS to CAS Delay (tRCD)3
Row Precharge Delay (tRP)3
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания2.5 В
Количество ранков1
СовместимостьIntel SR1325TP1-E, D875PBZ, Asus. AP1720-E1