1 модуль памяти DDR
объем модуля 512 МБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 333 МГц
CAS Latency (CL): 2.5
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR
объем модуля 512 МБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 333 МГц
CAS Latency (CL): 2.5
Технические характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота333 МГц
Пропускная способность2700 МБ/с
Объем1 модуль 512 МБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)2.5
Напряжение питания2.5 В