1 модуль памяти DDR
объем модуля 256 МБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 333 МГц
CAS Latency (CL): 2.5
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR
объем модуля 256 МБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 333 МГц
CAS Latency (CL): 2.5
Технические характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота333 МГц
Пропускная способность2700 МБ/с
Объем1 модуль 256 МБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)2.5
RAS to CAS Delay (tRCD)3
Row Precharge Delay (tRP)3
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания2.5 В
Количество ранков1