1 модуль памяти DDR2
объем модуля 1 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 800 МГц
CAS Latency (CL): 5
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 1 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 800 МГц
CAS Latency (CL): 5
Технические характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота800 МГц
Пропускная способность6400 МБ/с
Объем1 модуль 1 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Количество чипов каждого модуля16
Напряжение питания1.8 В