Оперативная память Samsung DDR4 2666 SO-DIMM 4Gb
артикул Y1750855234
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Доступные варианты:
5 990 р
Товар возврату не подлежит
ДОСТАВКА:
Ваш регион: Россия, Москва
Доставка
БесплатноСамовывоз
| 5-6 дней |
БесплатноДоставка почтой
| 9-6 дней |
По тарифам почты РФДоставка курьером
| 5-6 дней |
БесплатноПоставтоматы
| 2-6 дней |
Бесплатно от 3000 руб
Товар учавствует в акции(ях)
С товаром идет подарок
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2666 МГц
Пропускная способность21300 МБ/с
Объем1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)19
RAS to CAS Delay (tRCD)19
Row Precharge Delay (tRP)19
Напряжение питания1.2 В
Отзывов от товаре пока нет
Список аксессуаров пока пуст
