Оперативная память Samsung DDR3 1066 SO-DIMM 4Gb
артикул Y4743036
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1066 МГц
CAS Latency (CL): 7
Доступные варианты:
5 990 р
Товар возврату не подлежит
ДОСТАВКА:
Ваш регион: Россия, Москва
Доставка
БесплатноСамовывоз
| 5-6 дней |
БесплатноДоставка почтой
| 9-6 дней |
По тарифам почты РФДоставка курьером
| 5-6 дней |
БесплатноПоставтоматы
| 2-6 дней |
Бесплатно от 3000 руб
Товар учавствует в акции(ях)
С товаром идет подарок
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1066 МГц
CAS Latency (CL): 7
Технические характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1066 МГц
Пропускная способность8500 МБ/с
Объем1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)7
RAS to CAS Delay (tRCD)7
Row Precharge Delay (tRP)7
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков2
Отзывов от товаре пока нет
Список аксессуаров пока пуст
