1 модуль памяти DDR2
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 800 МГц
CAS Latency (CL): 6
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 800 МГц
CAS Latency (CL): 6
Технические характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота800 МГц
Пропускная способность6400 МБ/с
Объем1 модуль 2 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)6
RAS to CAS Delay (tRCD)6
Row Precharge Delay (tRP)6
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В
Количество ранков2
Дополнительная информацияCL-tRCD-tRP 5-5-5 или 6-6-6