1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 16
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 16
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2400 МГц
Пропускная способность19200 МБ/с
Объем1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)да
CAS Latency (CL)16
RAS to CAS Delay (tRCD)16
Row Precharge Delay (tRP)16
Количество чипов каждого модуля8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.2 В