1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2800 МГц
CAS Latency (CL): 18
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2800 МГц
CAS Latency (CL): 18
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2800 МГц
Пропускная способность22400 МБ/с
Объем1 модуль 16 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)18
RAS to CAS Delay (tRCD)18
Row Precharge Delay (tRP)18
Activate to Precharge Delay (tRAS)43
Напряжение питания1.2 В
Количество ранков2