1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 18
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 18
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2666 МГц
Пропускная способность21300 МБ/с
Объем1 модуль 16 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)18
RAS to CAS Delay (tRCD)18
Row Precharge Delay (tRP)18
Activate to Precharge Delay (tRAS)43
Напряжение питания1.2 В
Количество ранков2