2 модуля памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 2133 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 11
Ваш регион: Россия, Москва
2 модуля памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 2133 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 11
Технические характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота2133 МГц
Пропускная способность17000 МБ/с
Объем2 модуля по 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)11
RAS to CAS Delay (tRCD)11
Row Precharge Delay (tRP)11
Activate to Precharge Delay (tRAS)27
Напряжение питания1.5 В
Радиаторесть
Количество ранков1