1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2133 МГц
Пропускная способность17000 МБ/с
Объем1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)15
RAS to CAS Delay (tRCD)15
Row Precharge Delay (tRP)15
Activate to Precharge Delay (tRAS)36
Количество чипов каждого модуля8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.2 В
Количество ранков2