1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Технические характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1333 МГц
Пропускная способность10600 МБ/с
Объем1 модуль 8 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)9
RAS to CAS Delay (tRCD)9
Row Precharge Delay (tRP)9
Activate to Precharge Delay (tRAS)24
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков2