1 модуль памяти DDR2
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 800 МГц
CAS Latency (CL): 6
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 2 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 800 МГц
CAS Latency (CL): 6
Технические характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота800 МГц
Пропускная способность6400 МБ/с
Объем1 модуль 2 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)6
RAS to CAS Delay (tRCD)6
Row Precharge Delay (tRP)6
Activate to Precharge Delay (tRAS)18
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В
Количество ранков2
Срок службы10 лет
Гарантийный срок10 лет