1 модуль памяти SDRAM
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 168-контактный
частота 133 МГц
CAS Latency (CL): 3
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти SDRAM
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 168-контактный
частота 133 МГц
CAS Latency (CL): 3
Технические характеристики
Тип памятиSDRAM
Форм-факторDIMM 168-контактный
Тактовая частота133 МГц
Объем1 модуль 512 МБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)3
RAS to CAS Delay (tRCD)3
Row Precharge Delay (tRP)3
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания3.3 В
Количество ранков2