1 модуль памяти DDR2
объем модуля 512 МБ
форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный
частота 667 МГц
поддержка ECC
радиатор
CAS Latency (CL): 5
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 512 МБ
форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный
частота 667 МГц
поддержка ECC
радиатор
CAS Latency (CL): 5
Технические характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторFB-DIMM 240-контактный
Тактовая частота667 МГц
Пропускная способность5300 МБ/с
Объем1 модуль 512 МБ
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Activate to Precharge Delay (tRAS)15
Количество чипов каждого модуля9, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В
Радиаторесть
Количество ранков1
Дополнительная информацияПамять снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно.
