1 модуль памяти DDR2
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 667 МГц
CAS Latency (CL): 5
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 667 МГц
CAS Latency (CL): 5
Технические характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота667 МГц
Пропускная способность5300 МБ/с
Объем1 модуль 512 МБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В