1 модуль памяти DDR2
объем модуля 1 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 533 МГц
CAS Latency (CL): 4
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 1 ГБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 533 МГц
CAS Latency (CL): 4
Технические характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 МБ/с
Объем1 модуль 1 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)4
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В