1 модуль памяти DDR
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 184-контактный
частота 400 МГц
CAS Latency (CL): 3
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 184-контактный
частота 400 МГц
CAS Latency (CL): 3
Технические характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторDIMM 184-контактный
Тактовая частота400 МГц
Пропускная способность3200 МБ/с
Объем1 модуль 512 МБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)3
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Напряжение питания2.6 В