1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2666 МГц
Пропускная способность21300 МБ/с
Объем1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)19
RAS to CAS Delay (tRCD)19
Row Precharge Delay (tRP)19
Количество чипов каждого модуля4, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.2 В
Количество ранков1