1 модуль памяти DDR
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 184-контактный
частота 266 МГц
CAS Latency (CL): 2.5
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 184-контактный
частота 266 МГц
CAS Latency (CL): 2.5
Технические характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторDIMM 184-контактный
Тактовая частота266 МГц
Пропускная способность2100 МБ/с
Объем1 модуль 512 МБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)2.5
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания2.5 В
Дополнительная информацияПозолоченные контакты.