1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1866 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 13
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1866 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 13
Технические характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1866 МГц
Пропускная способность14900 МБ/с
Объем1 модуль 8 ГБ
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)13
RAS to CAS Delay (tRCD)13
Row Precharge Delay (tRP)13
Количество чипов каждого модуля18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков1