1 модуль памяти DDR3
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 11
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 11
Технические характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1600 МГц
Пропускная способность12800 МБ/с
Объем1 модуль 16 ГБ
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)11
RAS to CAS Delay (tRCD)11
Row Precharge Delay (tRP)11
Количество чипов каждого модуля36, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В
Количество ранков2