1 модуль памяти SDRAM
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 168-контактный
частота 133 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 3
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти SDRAM
объем модуля 512 МБ
форм-фактор DIMM, 168-контактный
частота 133 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 3
Технические характеристики
Тип памятиSDRAM
Форм-факторDIMM 168-контактный
Тактовая частота133 МГц
Объем1 модуль 512 МБ
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)да
CAS Latency (CL)3
Количество чипов каждого модуля18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания3.3 В
Дополнительная информацияПозолоченные контакты.