2 модуля памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 20
Ваш регион: Россия, Москва
2 модуля памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 20
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота3200 МГц
Пропускная способность25600 МБ/с
Объем2 модуля по 16 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)20
RAS to CAS Delay (tRCD)22
Row Precharge Delay (tRP)22
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.2 В
Количество ранков2