2 модуля памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 20
Ваш регион: Россия, Москва
2 модуля памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3200 МГц
CAS Latency (CL): 20
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота3200 МГц
Пропускная способность25600 МБ/с
Объем2 модуля по 8 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)20
RAS to CAS Delay (tRCD)22
Row Precharge Delay (tRP)22
Количество чипов каждого модуля8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.2 В
Количество ранков1