2 модуля памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 14
Ваш регион: Россия, Москва
2 модуля памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2400 МГц
CAS Latency (CL): 14
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2400 МГц
Пропускная способность19200 МБ/с
Объем2 модуля по 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)14
RAS to CAS Delay (tRCD)14
Row Precharge Delay (tRP)14
Количество чипов каждого модуля8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.2 В
Количество ранков1