1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 2133 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 11
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 2133 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 11
Технические характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота2133 МГц
Пропускная способность17000 МБ/с
Объем1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)11
RAS to CAS Delay (tRCD)12
Row Precharge Delay (tRP)12
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.6 В
Радиаторесть
Количество ранков1