2 модуля памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1866 МГц
CAS Latency (CL): 10
Ваш регион: Россия, Москва
2 модуля памяти DDR3L
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1866 МГц
CAS Latency (CL): 10
Технические характеристики
Тип памятиDDR3L
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1866 МГц
Пропускная способность14900 МБ/с
Объем2 модуля по 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)10
RAS to CAS Delay (tRCD)10
Row Precharge Delay (tRP)10
Количество чипов каждого модуля8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.35 В
Количество ранков1