1 модуль памяти DDR2
объем модуля 512 МБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 533 МГц
CAS Latency (CL): 4
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR2
объем модуля 512 МБ
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 533 МГц
CAS Latency (CL): 4
Технические характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 МБ/с
Объем1 модуль 512 МБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)4
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Количество чипов каждого модуля4, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В
Количество ранков1