4 модуля памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3800 МГц
CAS Latency (CL): 18
Ваш регион: Россия, Москва
4 модуля памяти DDR4
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 3800 МГц
CAS Latency (CL): 18
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота3800 МГц
Пропускная способность30400 МБ/с
Объем4 модуля по 8 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)18
RAS to CAS Delay (tRCD)18
Row Precharge Delay (tRP)18
Activate to Precharge Delay (tRAS)38
Напряжение питания1.35 В