2 модуля памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Ваш регион: Россия, Москва
2 модуля памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2666 МГц
Пропускная способность21300 МБ/с
Объем2 модуля по 16 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)19
Напряжение питания1.2 В
Количество ранков2