2 модуля памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Ваш регион: Россия, Москва
2 модуля памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2133 МГц
CAS Latency (CL): 15
Технические характеристики
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Тактовая частота2133 МГц
Пропускная способность17000 МБ/с
Объем2 модуля по 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)15
RAS to CAS Delay (tRCD)15
Row Precharge Delay (tRP)15
Activate to Precharge Delay (tRAS)36
Напряжение питания1.2 В