1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1866 МГц
CAS Latency (CL): 13
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1866 МГц
CAS Latency (CL): 13
Технические характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1866 МГц
Пропускная способность14900 МБ/с
Объем1 модуль 8 ГБ
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)13
RAS to CAS Delay (tRCD)13
Row Precharge Delay (tRP)13
Activate to Precharge Delay (tRAS)32
Напряжение питания1.5 В