1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Ваш регион: Россия, Москва
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 204-контактный
частота 1333 МГц
CAS Latency (CL): 9
Технические характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1333 МГц
Пропускная способность10600 МБ/с
Объем1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECCнет
Поддержка XMPнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)9
RAS to CAS Delay (tRCD)9
Row Precharge Delay (tRP)9
Activate to Precharge Delay (tRAS)24
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В